Samsung sgasa per le GPU: tutti i particolari e quello che c’è da sapere sulle memorie RAM GDDR7. Caratteristiche tecniche mai viste prima.
Poliedricità al potere. Gennaio in hype per Samsung per un febbraio ancora più pieno di annunci e presentazioni. Poche settimane fa il lancio dei tre Samsung Galaxy S24, i primi smartphone sudcoreani con funzionalità proprie dell’innovativa Intelligenza Artificiale generativa.
Pre-ordini andati, a febbraio i nuovi telefonini top gamma di Samsung verranno distribuiti a livello globale per la gioia di milioni e milioni appassionati di uno dei marchi leader di questo segmento di mercato. Non solo. Samsung è in altre faccende affaccendato.
Il colosso di Seoul, infatti, anticipa tutti è dà una bella accelerata al mercato delle GPU: presenta le memorie RAM GDDR7 gonfiando il petto per dove si è arrivati. Mai prima d’ora si erano viste certe caratteristiche tecniche in ambito dei semiconduttori.
Samsung urbi et orbi, le memorie RAM GDDR7: velocità più elevata, mai vista finora
È stato proprio il noto marchio ad annunciare di aver completato lo sviluppo della prima DRAM Graphics Double Data Rate 7, più comunemente nota come GDDR7 del settore. Verrà installata per la prima volta quest’anno sui sistemi di prossima generazione dei clienti chiave per la verifica, un modo per consolidare ulteriormente la leadership tecnologica nel settore delle GPU.
Sì perché dopo lo sviluppo DRAM GDDR6 nel 2022, Samsung ha dato una bella sgasata proprio con le GDDR7, caratterizzate da una velocità più elevata, mai vista finora. Le innovazioni nella progettazione e nel confezionamento dei circuiti integrati, assicurano da Seoul, forniranno maggiore stabilità nonostante le operazioni ad alta velocità. La memoria Samsung GDDR7 fungerà da prossima DRAM per le GPU nei segmenti AI, HPC, Gaming e Automotive.
Secondo Samsung, la memoria GDDR7 offrirà un incremento delle prestazioni addirittura del 40% e un miglioramento dell’efficienza energetica del 20% rispetto all’attuale DRAM GDDR6 da 24 Gbps più veloce, che offre capacità del die fino a 16 Gb. I primi prodotti saranno dotati di velocità di trasferimento fino a 32 Gbps, che segna un miglioramento del 33% rispetto alla memoria GDDR6, raggiungendo allo stesso tempo una larghezza di banda fino a 1,5 TB/s che sarà ottenuta su una soluzione di interfaccia bus a 384 bit. La prossima generazione di memoria GDDR7 alla conferenza ISSCC, la tradizionale IEEE International Solid-State in programma dal 18 al 22 febbraio al Marriott Marquis di San Francisco, negli Stati Uniti.
